用途	用水指標(biāo)	參考標(biāo)準(zhǔn)
單晶硅、多晶硅、太陽(yáng)能電池、氧化鋁坩堝、光伏玻璃等生產(chǎn)	電阻率15 ~18.25 M .CM	我國(guó)電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)
單晶硅半導(dǎo)體集成電路塊，顯像管、玻殼、液晶顯示器等制造工業(yè)	電阻率15 ~18.25 M .CM	美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)我國(guó)電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997
光學(xué)材料清洗用水、電子陶瓷行業(yè)用純水、尖端磁性材料用純水	電阻率10 ~17 M .CM	我國(guó)電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)
蓄電池、鋰電池、鋅錳電池生產(chǎn)	電阻率5 ~10 M .CM	我國(guó)電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997
有色金屬、貴金屬冶煉用水、納米級(jí)新材料生產(chǎn)用水、航空新材料生產(chǎn)用水、ITO導(dǎo)電玻璃制造用水、電子級(jí)無(wú)塵布生產(chǎn)用水	電阻率15 ~18.25 M .CM	我國(guó)電子級(jí)水質(zhì)技術(shù)指標(biāo)，GB11446-1-1997美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)用純水指標(biāo)

主要工藝流程和出水指標(biāo)：※預(yù)處理 反滲透 離子交換器（電阻率 15M .CM）※預(yù)處理 二級(jí)反滲透 EDI（電阻率 15M .CM）※預(yù)處理 二級(jí)反滲透 脫氣膜 EDI 拋光混床（電阻率 18.25M .CM）詳細(xì)工藝需根據(jù)原水設(shè)計(jì)情況進(jìn)行設(shè)計(jì)純水設(shè)備的主要特點(diǎn)

▼采用進(jìn)口反滲透膜，脫鹽率高，使用壽命長(zhǎng)，運(yùn)行成本低廉，產(chǎn)水水質(zhì)高而穩(wěn)定； ▼在線水質(zhì)監(jiān)測(cè)控制，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)水質(zhì)變化，保障水質(zhì)安全； ▼全自動(dòng)電控程序，還可選配觸摸屏操作，使用方便，操作簡(jiǎn)單、安全； ▼切合當(dāng)?shù)厮|(zhì)的個(gè)性化設(shè)計(jì)，設(shè)想周到的堆疊式設(shè)計(jì)，占地面積小，全方位滿足需求。▼運(yùn)行費(fèi)用及維修成本低，全自動(dòng)運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)無(wú)人化管理操作。