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optotherm熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)-立特為智能電話:l52l9504346 (溫先生)
關(guān)鍵詞: ?Optotherm IS640 SENTRIS,Thermal Emission Microscope system
1.?它的應(yīng)用非常廣泛,去封裝的芯片分析,未去封裝的芯片分析,電容,F(xiàn)PC,甚至小尺寸的電路板分析(PCB、PCBA),這也就讓你可以在對(duì)樣品的不同階段都可以使用thermal技術(shù)進(jìn)行分析,如下圖示例,樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電,將該器件拆下后發(fā)現(xiàn)漏電改善,對(duì)該器件焊引線出來(lái),未開(kāi)封定位為某引腳,開(kāi)封后扎針上電再做分析,進(jìn)一步確認(rèn)為晶圓某引線位置漏電導(dǎo)致,如有需要可接著做SEM,FIB等分析。
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未開(kāi)封器件分析
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開(kāi)封器件分析
2. 它能偵測(cè)的半導(dǎo)體缺陷也非常廣泛,微安級(jí)漏電,低阻抗短路,ES擊傷,閂鎖效應(yīng)點(diǎn),金屬層底部短路等等,而電容的漏電和短路點(diǎn)定位,F(xiàn)PC,PCB,PCBA的漏電,微短路等也能夠精確定位
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lock-in鎖相分析
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開(kāi)封芯片漏電分析
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GAN-SIC器件
3,它是無(wú)損分析:作為日常的失效分析,往往樣品量稀少,這就要求失效分析技術(shù)最好是無(wú)損的,而對(duì)于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷,雖然電測(cè)能測(cè)出存在缺陷,但是對(duì)具體缺陷位置,市場(chǎng)上的無(wú)損分析如XRAY或超聲波,卻很難進(jìn)行定位,只能通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行破壞性切片分析,且只能隨機(jī)挑選位置,而通過(guò)Thermal 技術(shù),你需要的只是給樣品上電,就可以對(duì)上述兩種缺陷進(jìn)行定位
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FPC缺陷分析
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電容缺陷分析
4,鎖相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):利用鎖相技術(shù),將溫度分辨率提高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以偵測(cè)uA級(jí)漏電流和微短路缺陷,遠(yuǎn)由于傳統(tǒng)熱成像及液晶熱點(diǎn)偵測(cè)法(0.1℃分辨率,mA級(jí)漏電流熱點(diǎn))
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5,系統(tǒng)能夠測(cè)量芯片等微觀器件的溫度分布,提供了一種快速探測(cè)熱點(diǎn)和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示出缺陷的位置,在半導(dǎo)體領(lǐng)域
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在集成電路操作期間,內(nèi)部結(jié)自加熱導(dǎo)致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身,并且熱從接合部向外傳導(dǎo)到封裝中。因此,器件操作期間的精確結(jié)溫測(cè)量是熱表征的組成部分。
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芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具(如 圖像序列分析)可用于評(píng)估樣品由內(nèi)到外的熱量傳遞過(guò)程,以便確定管芯接合的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)作為一臺(tái)專(zhuān)業(yè)為缺陷定位的系統(tǒng),專(zhuān)為電子產(chǎn)品FA設(shè)計(jì),通過(guò)特別的LOCK-IN技術(shù),使用LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃(1mK),同時(shí)光學(xué)分辨率最高達(dá)到5um,尤其其軟件系統(tǒng)經(jīng)過(guò)多年的優(yōu)化,具有非常易用和實(shí)用,以下是OPTOTHERM Sentris 熱發(fā)射顯微鏡系統(tǒng)分析過(guò)程的說(shuō)明視頻
LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited?‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國(guó)代表(獨(dú)家代理),在深圳設(shè)立optotherm紅外熱分析應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,負(fù)責(zé)該設(shè)備的演示和銷(xiāo)售,如有相關(guān)應(yīng)用,可提供免費(fèi)評(píng)估測(cè)試服務(wù)。
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紅外熱成像儀的構(gòu)成
紅外熱像儀的構(gòu)成包5大部分:
1、紅外鏡頭: 接收和匯聚被測(cè)物體發(fā)射的紅外輻射;
2、紅外探測(cè)器組件: 將熱輻射型號(hào)變成電信號(hào);
3、電子組件: 對(duì)電信號(hào)進(jìn)行處理;
4、顯示組件: 將電信號(hào)轉(zhuǎn)變成可見(jiàn)光圖像;
5、軟件: 處理采集到的溫度數(shù)據(jù),轉(zhuǎn)換成溫度讀數(shù)和圖像。
紅外熱成像儀的分類(lèi)
紅外熱像儀按照工作溫度分為制冷型和非制冷性
制冷式熱成像儀:其探測(cè)器中集成了一個(gè)低溫制冷器,這種裝置可以給探測(cè)器降溫度,這樣是為了使熱噪聲的信號(hào)低于成像信號(hào),成像質(zhì)量更好。
非制冷式熱成像儀:其探測(cè)器不需要低溫制冷,采用的探測(cè)器通常是以微測(cè)輻射熱計(jì)為基礎(chǔ),主要有多晶硅和氧化釩兩種探測(cè)器。
紅外熱像儀按照功能分為測(cè)溫型和非測(cè)溫型
測(cè)溫型紅外熱像儀:測(cè)溫型紅外熱像儀,可以直接從熱圖像上讀出物體表面任意點(diǎn)的溫度數(shù)值,這種系統(tǒng)可以作為無(wú)損檢測(cè)儀器,但是有效距離比較短。
非測(cè)溫型紅外熱像儀:非測(cè)溫型紅外熱像儀只能觀察到物體表面熱輻射的差異,這種系統(tǒng)可以作為觀測(cè)工具,有效距離比較長(zhǎng)。
紅外熱成像儀的特點(diǎn)
與一般檢測(cè)設(shè)備相比,紅外熱成像儀具有以下鮮明特點(diǎn):
1、熱成像儀可以對(duì)運(yùn)動(dòng)物體進(jìn)行測(cè)溫,而普通測(cè)溫儀表很難做到這一點(diǎn);
2、可以借助顯微鏡頭對(duì)幾微米甚至更小的目標(biāo)進(jìn)行測(cè)溫;
3、可以快速地對(duì)設(shè)備進(jìn)行熱診斷;
4、不會(huì)對(duì)所測(cè)量的溫度場(chǎng)產(chǎn)生干擾;
5、測(cè)溫范圍大,根據(jù)型號(hào)的不同,一般可測(cè)量0℃—2000℃的范圍;
6、靈敏度高,根據(jù)型號(hào)不同,可分辨0.1℃甚至更小的溫差;
7、使用安全,由于測(cè)量的非接觸性,使得熱成像儀使用起來(lái)非常安全。
紅外熱成像儀的發(fā)展歷程
l800年,英國(guó)天文學(xué)家F.W.赫歇耳發(fā)現(xiàn)了紅外線。
上世紀(jì)70年代,熱成像系統(tǒng)和電荷耦合器件被成功應(yīng)用。
上世紀(jì)末,以焦平面陣列(FPA)為代表的紅外器件被成功應(yīng)用。
紅外技術(shù)的核心是紅外探測(cè)器,紅外探測(cè)器按其特點(diǎn)可分為四代:
第一代(l970s-80s):主要是以單元、多元器件進(jìn)行光機(jī)串/并掃描成像;
第二代(l990s-2000s):是以4x288為代表的掃描型焦平面;
第三代:凝視型焦平面;
第四代:目前正在發(fā)展的以大面陣、高分辨率、多波段、智能靈巧型為主要特點(diǎn)的系統(tǒng)芯片,具有高性能數(shù)字信號(hào)處理功能,甚至具備單片多波段探測(cè)與識(shí)別能力。
目前非制冷焦平面探測(cè)器的主流技術(shù)為熱敏電阻式微輻射熱計(jì),根據(jù)使用的熱敏電阻材料的不同可以分為氧化釩探測(cè)器和非晶硅探測(cè)器兩種。
非制冷焦平面陣列探測(cè)器的發(fā)展,其性能可以滿(mǎn)足部分的軍|事用途和幾乎所有的民用領(lǐng)域,真正實(shí)現(xiàn)了小型化、低價(jià)格和高可靠性,成為紅外探測(cè)成像領(lǐng)域中極具前途和市場(chǎng)潛力的發(fā)展方向。