柵極|柵極通道|控制柵極|柵極結(jié)構(gòu)生產(chǎn)技術工藝（168元/全套）歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；；資料（光盤）編號：F400387敬告：我公司提供技術資料均更新到客戶購買當日的最新最全數(shù)據(jù)，不提供任何實物產(chǎn)品及設備，也不能提供生產(chǎn)銷售廠商信息。\"因版面及工作量限制，每頁只顯示前10項技術的摘要信息，更多信息及詳細全文資料將以光盤形式提供。此光盤包括“專利技術219篇”。8128-0208-0001 一種制備在GaAs基底上生長含Al外延層半導體材料的方法 摘要 本發(fā)明涉及一種制備在GaAs基底上生長含Al外延層的半導體材料的方法，將GaAs襯底在真空中，以常規(guī)方法將其表面在As分子束保護下加熱到580℃脫去表面氧化膜，然后通入As：Ga束流，生長GaAs緩沖層，在GaAs緩沖層表面再生長含Al外延層，最后覆蓋GaAs蓋帽層，得到半導體材料，其特征在于：在400℃～650℃，采用As分子束保護，在GaAs緩沖層表面再生長含Al外延層時，加入As原子摩爾數(shù)的1～10％的In原子作為表面活化劑。本發(fā)明可以增強其它原子在外延表面的遷移長度，從而達到改善多層外延膜的界面質(zhì)量和體質(zhì)量的目的。8128-0111-0002 溶液影響的取向 摘要 一種形成取向聚合物層的方法，該方法包括：在溶劑內(nèi)淀積聚合物膜；使聚合物產(chǎn)生取向，同時一些溶劑仍殘留在膜內(nèi)；和通過從膜中除去溶劑來固化膜。8128-0022-0003 壓力傳感器和生產(chǎn)壓力傳感器的方法 用通過在一種鋁的羥基礦物—勃姆石(AlO(OH))水溶液中加入二氧化鈦制備的涂層溶液將一種用藍寶石制成的板件—蓋板(130)與固定在緩沖部件(120)上的壓力傳感器塊(110)結(jié)合。8128-0187-0004 半導體裝置以及半導體裝置的制造方法 摘要 本發(fā)明提供一種提高動作速度的同時能抑制臨界電壓的變動的半導體裝置。該半導體裝置中，將氟導入到跨越第一導電型半導體區(qū)域和第二導電型的源極/漏極區(qū)域的接合界面的區(qū)域、柵極絕緣膜與溝道區(qū)域的至少中央?yún)^(qū)域的以及柵極絕緣膜、和側(cè)壁絕緣膜中的至少一種之中。8128-0112-0005 一種制作薄膜晶體管的方法 摘要 本發(fā)明公開一種制作薄膜晶體管的方法，包括：提供一襯底；于該襯底上沉積一非晶硅層；利用一等離子體接觸該非晶硅層，以調(diào)整該薄膜晶體管的啟動電壓；及進行一結(jié)晶工藝，使該非晶硅層轉(zhuǎn)換成一多晶硅層。若上述等離子體是一含氧等離子體，可將該薄膜晶體管的啟動電壓向負方向偏移調(diào)整。若上述等離子體是氨氣等離子體，可將該薄膜晶體管的啟動電壓向正方向偏移調(diào)整。8128-0063-0006 一種變相轉(zhuǎn)換導熱膠材 摘要 本發(fā)明涉及一種變相轉(zhuǎn)換導熱膠材，有助于將電子組件產(chǎn)生的熱傳送至散熱器，該變相轉(zhuǎn)換導熱膠材主要系由次微米或納米的粉末導熱基材與蠟混合制成的膠材，可直接采用噴涂或網(wǎng)印方法使其附著在散熱器表面上，或者可將其裝入針管筒中注入散熱器表面上，使其由固態(tài)變相轉(zhuǎn)換成液態(tài)時，能完全填補于散熱器表層組織空洞內(nèi)，不增加導熱介質(zhì)的厚度，得以提高熱傳導的材料系數(shù)，達到散熱器與發(fā)熱電子組件接觸面的熱傳材料完全密實導熱，使其具有最佳熱傳導效率。8128-0186-0007 金屬氧化物半導體場效應晶體管 摘要 一種金屬氧化物半導體場效應晶體管，在實際動作區(qū)域周圍設置的護圈上未設置電極的部分，在護圈近旁引起電荷集中，而圖案不均勻。本發(fā)明的金屬氧化物半導體場效應晶體管包括：實際動作區(qū)域5，其排列多個MOS晶體管的單元6；源極電極7，其被設置在該實際動作區(qū)域上，并和所述MOS晶體管各單元的源極區(qū)域18連接；源極片電極，其和該源極電極連接；柵結(jié)合片電極1，其和所述MOS晶體管各單元的柵極電極16連接；護圈22，其被設置在源極區(qū)域18周圍，其中，擴張所述源極電極，覆蓋所述護圈上的未覆蓋柵極電極的部分。8128-0146-0008 可增加穿透電壓的高壓組件及其與低壓組件制程匹配的制作方法 摘要 一種可增加穿透電壓的高壓組件及其與低壓組件制程匹配的制作方法。一半導體硅基底，其表面上定義有一高壓組件區(qū)域。一閘極結(jié)構(gòu)，形成于該高壓組件區(qū)域內(nèi)。一輕摻雜區(qū)域，形成于該閘極結(jié)構(gòu)側(cè)邊的該半導體硅基底內(nèi)。一側(cè)壁子，形成于該閘極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上。一重摻雜區(qū)域，形成于該側(cè)壁子側(cè)邊的該輕摻雜區(qū)域內(nèi)，該重摻雜區(qū)域與該相鄰的側(cè)壁子之間維持有一橫向間距。8128-0106-0009 發(fā)射輻射的芯片和發(fā)射輻射的元件 摘要 本發(fā)明涉及一個發(fā)射輻射的芯片(2)，該芯片具有：一個輻射能穿透的窗口(5)，該窗口具有一個折射率nF和一個主面(19)；一個多層結(jié)構(gòu)(9)，該多層結(jié)構(gòu)含有一層產(chǎn)生輻射的有源層(10)并鄰接窗口(5)的主面(19)；和一種包圍窗口(5)的、具有折射率n0的、輻射能穿透的介質(zhì)。窗口(5)具有至少兩個界定面(6，7)，這兩個界定面夾成一個β角，該角滿足不等式：90°-αt＜β＜2αt 式中 αt＝arcsin(n0/nF)；此外，本發(fā)明涉及一種發(fā)射輻射的元件，該元件含有這樣一個芯片(2)。8128-0036-0010 半導體處理裝置的藥液濃度控制裝置 摘要 提供一種半導體處理裝置的藥液濃度控制裝置，它可以使處理用的藥液濃度保持不變，同時能保持處理所需要的液面高度。它具有測定藥液濃度的濃度測定手段、觀測經(jīng)過濃度反饋控制系統(tǒng)的等待時間后濃度的漂移量的漂移觀測手段、計算各藥液的補充量的補充量計算手段、預測補充了上述補充量計算手段計算的補充量到達時的濃度的濃度預測手段、使用上述補充量計算手段得到的各藥液補充量的總和為定量進行處理的定量補充處理手段、按照上述定量補充處理手段計算的補充量控制藥液補充的補充控制手段。根據(jù)上述補充量計算手段、上述濃度測定手段和上述漂移觀測手段的各測定數(shù)據(jù)以及上述濃度預測手段的濃度預測數(shù)據(jù)，相對于預先設定的標準補充量計算各藥液的補充量。8128-0079-0011 一種源漏下陷型超薄體SOIMOS晶體管及其集成電路的制作方法8128-0180-0012 圖像傳感器件及制造方法8128-0050-0013 淺槽隔離層的制作方法8128-0201-0014 電子器件的清洗8128-0078-0015 場效應晶體管8128-0018-0016 制造半導體裝置的方法8128-0202-0017 在處理工具之間輸送小批量襯底載體的系統(tǒng)和方法8128-0152-0018 制造半導體器件的方法8128-0197-0019 一種具有AlAs氧化層的半導體材料8128-0044-0020 測試集成電路卡中芯片操作系統(tǒng)和芯片兼容的裝置8128-0131-0021 金屬氧化膜的形成方法8128-0101-0022 半導體裝置8128-0105-0023 多色發(fā)光燈和光源8128-0114-0024 自對準接觸的側(cè)壁間隔片結(jié)構(gòu)及其形成方法8128-0151-0025 一種制作雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法8128-0140-0026 連接墊及其制造方法8128-0116-0027 基片處理設備8128-0192-0028 具有發(fā)光變換元件的發(fā)光半導體器件8128-0177-0029 浮置柵極存儲單元及其制造方法8128-0055-0030 改善蝕刻中止層與金屬層間的粘著性的工藝與結(jié)構(gòu)8128-0209-0031 一種制備絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的方法8128-0031-0032 射束照射裝置、射束照射方法及半導體裝置的制作方法8128-0057-0033 制造半導體器件的電容器的方法8128-0040-0034 低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法8128-0089-0035 高壓高溫電容結(jié)構(gòu)及其制造方法8128-0162-0036 半導體裝置及其制造方法8128-0165-0037 具有散熱片的散熱器和該散熱器的制造方法8128-0035-0038 一種半導體器件含氮柵氧化硅層結(jié)構(gòu)及其制造工藝8128-0043-0039 半導體模塊及其制造方法8128-0083-0040 一種提高染料敏化TiO2納米晶電池效率的方法8128-0182-0041 固態(tài)成像裝置8128-0102-0042 具有有源溝槽角落和厚底部氧化物的溝槽型MIS器件及其制造方法8128-0008-0043 拋光包括銅和鎢的半導體器件結(jié)構(gòu)中使用的漿液與固定磨料型拋光墊以及拋光方法8128-0073-0044 具有溝槽型選擇柵極的快閃存儲器及制造方法8128-0213-0045 夾盤設備8128-0017-0046 電極構(gòu)造、薄膜構(gòu)造體的制造方法8128-0099-0047 具有側(cè)向連接的電容器的電子組件及其制造方法8128-0135-0048 多柵極晶體管的結(jié)構(gòu)及其制造方法8128-0090-0049 一種特別適用于光學、電子學或光電子學器件的基片加工方法和由該方法獲得的基...8128-0004-0050 制造微電子電路的方法和微電子電路8128-0042-0051 半導體元件、半導體器件以及其制作方法8128-0047-0052 故障解析裝置8128-0016-0053 樹脂密封型半導體裝置及使用的芯片焊接材料和密封材料8128-0038-0054 一種金屬線間介質(zhì)膜的兩步淀積工藝8128-0194-0055 發(fā)光二極管8128-0164-0056 散熱片的裝配8128-0195-0057 帶有光敏器件的有機發(fā)光二極管顯示器8128-0107-0058 具有薄膜式襯底的熱電模塊8128-0217-0059 垂直MOS晶體管的制造方法8128-0154-0060 集成電路設計整合方法及其應用的組件、交易方法與產(chǎn)品8128-0005-0061 制造半導體元件的方法及其半導體元件8128-0021-0062 半導體裝置及其制造方法8128-0032-0063 半導體器件及其制造方法8128-0215-0064 半導體器件的制造方法8128-0103-0065 使用通過液體的光學聚集的太陽能轉(zhuǎn)換器8128-0006-0066 真空處理裝置8128-0136-0067 印刷掩模及使用該掩模的電子零件的制造方法8128-0070-0068 包括每個有浮動柵和控制柵極的MOS晶體管的半導體存儲器8128-0054-0069 半導體集成電路器件及其制造方法8128-0001-0070 太陽能電池的基片、具有此基片的太陽能電池以及太陽能電池的生產(chǎn)工藝8128-0092-0071 薄片制造設備、薄片制造方法和太陽能電池8128-0053-0072 半導體裝置及其制造方法8128-0011-0073 內(nèi)含溝道型肖特基整流器的溝道型DMOS晶體管8128-0074-0074 將電路集成在絕緣層的系統(tǒng)及將系統(tǒng)集成在絕緣層的方法8128-0120-0075 一種形成暨測試一相移掩膜的方法8128-0045-0076 測量金屬氧化半導體晶體管的柵極通道長度的方法8128-0041-0077 降低薄膜晶體管基板表面漏電流的方法8128-0200-0078 襯底元片及軟襯底8128-0147-0079 于間距縮小工藝中整合存儲單元數(shù)組區(qū)與周邊電路區(qū)的方法8128-0048-0080 基板保持工具、電子儀器制造方法、光掩膜的制造方法8128-0139-0081 具有外延的C49-硅化鈦（TiSi2）層的半導體裝...8128-0184-0082 半導體元件8128-0029-0083 色心藍寶石襯底的制備方法8128-0169-0084 半導體器件及其制造方法8128-0026-0085 束照射裝置、束照射方法及薄膜晶體管的制造方法8128-0179-0086 非易失性存儲器件及其制造方法8128-0199-0087 供氣裝置8128-0095-0088 半導體晶片中凸點的形成方法及其形成設備8128-0051-0089 淺溝渠隔離區(qū)的制造方法8128-0033-0090 一種用于制造閃爍存儲器控制柵堆積結(jié)構(gòu)形成工藝的改進方法8128-0071-0091 半導體存儲裝置及半導體集成電路8128-0143-0092 一種準單跳變測試集的低功耗內(nèi)建自測試產(chǎn)生器8128-0130-0093 利用電子束制程增加界面附著性的方法8128-0003-0094 半導體器件及其制造方法8128-0104-0095 GaAs基激光器制造方法和GaAs激光器8128-0198-0096 一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法8128-0009-0097 用源極側(cè)硼注入的非易失性存儲器8128-0207-0098 低溫多晶硅薄膜晶體管及其多晶硅層的制造方法8128-0052-0099 淺溝渠隔離的平坦化方法8128-0065-0100 半導體器件8128-0123-0101 半導體器件8128-0204-0102 制造裝置及制造方法8128-0210-0103 清洗電子元件或其制造設備的元件的方法和裝置8128-0034-0104 一種半導體器件含氮雙柵氧化硅層的制備方法8128-0084-0105 帶有具有冷卻功能的反射器的半導體發(fā)光器件8128-0064-0106 異形板翅式換熱器芯子8128-0171-0107 包括轉(zhuǎn)變檢測電路的半導體器件及其啟動方法8128-0024-0108 使用LED的發(fā)光裝置8128-0115-0109 單晶硅膜的制造方法8128-0178-0110 可實現(xiàn)大的自對準接觸(SAC)開口余量的槽晶體管(TR)柵及其形成方法8128-0061-0111 表面安裝型高頻模塊8128-0027-0112 半導體器件及其制造方法8128-0191-0113 白光發(fā)光二極管及其制作方法8128-0124-0114 緣經(jīng)過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法8128-0155-0115 半導體元件布局設計裝置、布局設計方法和布局設計程序8128-0156-0116 半導體器件8128-0148-0117 半導體器件的制造方法8128-0166-0118 半導體封裝及其引線框架8128-0110-0119 透明平面體8128-0085-0120 半導體發(fā)光二極管及其制造方法8128-0117-0121 薄膜圖形形成方法及器件制造方法、光電裝置及電子設備8128-0014-0122 用于制造并進行流體噴射的流體噴射環(huán)和方法8128-0080-0123 一種高介電常數(shù)材料柵結(jié)構(gòu)及其制備工藝8128-0076-0124 半導體器件及其制造方法8128-0138-0125 一種薄型集成電路的封裝方法8128-0153-0126 分割半導體晶片的方法8128-0161-0127 半導體裝置、三維安裝型半導體裝置的制法、電路板、電子儀器8128-0129-0128 半導體器件及半導體器件的制造方法8128-0081-0129 半導體器件及其制造方法8128-0002-0130 發(fā)光或受光用半導體模塊及其制造方法8128-0189-0131 光電元件的制造方法8128-0128-0132 硅的各向異性濕式蝕刻8128-0118-0133 制造對象物的搬送裝置和制造對象物的搬送方法8128-0015-0134 基底及其制造方法,以及薄膜結(jié)構(gòu)體8128-0037-0135 金屬線間介質(zhì)膜的填充工藝8128-0088-0136 低K金屬前電介質(zhì)半導體結(jié)構(gòu)8128-0212-0137 制造半導體器件的等離子體刻蝕方法和設備8128-0097-0138 制造半導體模塊的方法以及按照該方法制造的模塊8128-0007-0139 選擇性腐蝕氧化物的方法8128-0062-0140 導熱管與導熱基座的結(jié)合方法8128-0188-0141 疊層型光生伏打元件8128-0077-0142 數(shù)字隨耦器、數(shù)字儲存組件以及靜態(tài)隨機存取內(nèi)存8128-0121-0143 用于分子存儲器和邏輯器件的定制電極8128-0132-0144 金屬斜角蝕刻結(jié)構(gòu)、源極/漏極與柵極結(jié)構(gòu)及其制造方法8128-0149-0145 防止微影工藝對準失誤的結(jié)構(gòu)與方法8128-0039-0146 減少金屬線缺陷的改進工藝8128-0093-0147 形成低表層電阻的超淺結(jié)的方法8128-0159-0148 利用反向自對準過程制造雙ONO式SONOS存儲器的方法8128-0133-0149 使用互補金屬氧化物半導體工藝制造雙極性晶體管的方法8128-0108-0150 自供電開關啟動系統(tǒng)8128-0205-0151 半導體器件的制造方法8128-0087-0152 制造有機晶體管的方法及有機晶體管8128-0185-0153 半導體器件及其制造方法8128-0020-0154 電子部件8128-0214-0155 半導體裝置的制造方法及半導體裝置8128-0075-0156 具有帶有兩個腙基的電荷傳輸材料的有機光感受器8128-0067-0157 控制輸出阻抗和轉(zhuǎn)換速率的半導體集成電路8128-0160-0158 半導體裝置、電路基板以及電子設備8128-0028-0159 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法8128-0142-0160 一種防靜電破壞的IC晶片電性測試設備及防靜電破壞的方法8128-0109-0161 大量生產(chǎn)多個磁傳感器的方法8128-0094-0162 金屬圖案的成型8128-0144-0163 測試分類機的溫度監(jiān)控系統(tǒng)8128-0196-0164 有機發(fā)光二極管面板的制作方法8128-0058-0165 應用于罩幕式只讀存儲器編碼布植的微影工藝8128-0190-0166 有機半導體電致發(fā)光三極管及其制法8128-0150-0167 一種利用重復曝光形成雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的方法8128-0175-0168 快閃存儲單元、快閃存儲單元的制造方法及其操作方法8128-0068-0169 具應變通道的互補式金氧半導體及其制作方法8128-0049-0170 等離子體處理裝置、聚焦環(huán)和基座8128-0170-0171 記憶模塊及具無柱塞信號線及分布電容性負荷之記憶裝置8128-0173-0172 半導體存儲裝置8128-0098-0173 包合薄板狀基材之集成電路配置8128-0174-0174 強電介質(zhì)層及其制法、強電介質(zhì)電容器及強電介質(zhì)存儲器8128-0203-0175 半導體器件的制造方法、集成電路、電光裝置和電子儀器8128-0012-0176 薄膜構(gòu)造體的制造方法8128-0181-0177 固體攝像裝置8128-0113-0178 一種自動化形成半導體實驗元件布局的方法與系統(tǒng)8128-0137-0179 通過壓力成形來制造引線框的裝置和方法及制成的引線框8128-0141-0180 無破壞性檢測高電子遷移率晶體管外延材料性能的方法8128-0127-0181 干式蝕刻裝置及干式蝕刻方法8128-0158-0182 半導體器件及其制造方法8128-0030-0183 低溫多晶硅薄膜的制造方法及低溫多晶硅薄膜晶體管8128-0066-0184 半導體集成電路裝置及使用它的電子卡8128-0096-0185 到柵極的自對準接觸8128-0218-0186 半導體封裝基板的電性連接墊電鍍金屬層結(jié)構(gòu)及其制法8128-0059-0187 閃存的制造方法8128-0060-0188 安裝電子部件的薄膜載帶及生產(chǎn)方法及涂敷阻焊劑的印網(wǎng)8128-0126-0189 化學機械拋光方法以及與其相關的洗滌/沖洗方法8128-0145-0190 用于晶圓的夾持裝置、夾持銷、滾輪夾持裝置及夾持滾輪8128-0163-0191 散熱片的制造方法8128-0119-0192 整合對準標記與溝槽組件的制程8128-0216-0193 自動對準接觸插塞的制造方法8128-0056-0194 設計低功耗半導體集成電路的方法8128-0023-0195 光接收元件和具有光接收元件的光子半導體器件8128-0183-0196 固態(tài)成像裝置及其制造方法8128-0100-0197 微影對準設計及CMP加工波紋表面覆蓋量測記號8128-0125-0198 可以識別表里的矩形氮化物半導體基片8128-0206-0199 低溫多晶硅薄膜的制造方法8128-0010-0200 具有埋置電容器的電子封裝及其制造方法8128-0019-0201 半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法8128-0086-0202 發(fā)光器件及其制造方法8128-0072-0203 半導體存儲器件8128-0211-0204 保護層的剝離裝置及剝離方法8128-0069-0205 非揮發(fā)性存儲元件的結(jié)構(gòu)8128-0168-0206 一種具有雙層保護層的鑲嵌金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu)8128-0167-0207 具有保護環(huán)的半導體器件8128-0046-0208 太陽電池少數(shù)載流子壽命分析儀8128-0091-0209 具有受控機械強度的可拆除基片及其生產(chǎn)方法8128-0157-0210 只讀存儲器的制造方法8128-0025-0211 制造自排序納米管道陣列及納米點的方法8128-0134-0212 具有應變硅鍺層磊晶的場效應晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法8128-0013-0213 具有超薄磁性層的TMR材料8128-0176-0214 半導體存儲裝置8128-0193-0215 具有發(fā)光變換元件的發(fā)光半導體器件8128-0122-0216 電子束處理方法及電子束處理裝置8128-0172-0217 強電介質(zhì)存儲裝置的數(shù)據(jù)讀出方法及強電介質(zhì)存儲裝置8128-0082-0218 太陽能電池模塊和太陽能電池模塊陣列8128-0219-0219 安裝襯底的制造方法及電路裝置的制造方法查詢更多技術請點擊： 中國創(chuàng)新技術網(wǎng)（http://www.887298.com） 金博專利技術網(wǎng)（http://www.39aa.net） 金博技術資料網(wǎng)（http://www.667298.com） 購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt） 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