惠州創(chuàng)世紀(jì)儀器儀表商行供應(yīng)惠州MOS-1型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀一、概述　　MOS-1型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在2-100A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器完全可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分優(yōu)越的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安全方便。二、主要技術(shù)性能1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍：0—1999V，精度：≤2.5%。2、IDSS可分三擋選擇：1mA、250uA、25uA。3、柵極開啟電壓VGS（th）測(cè)量范圍：0—10V。精度：≤5%。4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50A連續(xù)可調(diào)，精度：≤10%。5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100三、主要測(cè)試功能1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見下面介紹）。5、各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。四、測(cè)試盒與測(cè)試線1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。