EC570電化學(xué)工作站 硬件技術(shù)指標(biāo)： 模塊化結(jié)構(gòu)是（優(yōu)點(diǎn):進(jìn)口儀器的標(biāo)準(zhǔn)配備，擴(kuò)展性強(qiáng)，降低地線阻抗，提高測量精度） 恒電位/恒電流儀 最大電流 300mA 最大反應(yīng)電壓 10V 電位掃描跨度范圍20V 電位上升時間 1uS 槽壓 28V 三電極或四電極設(shè)置 參比電極輸入阻抗1 1012 電流測量范圍1 10-12A/V－1A/V共12檔（1 10-12A/V 1 10-9A/V需屏蔽箱） 輸入偏置電流 1pA 電流測量分辨率電流范圍的0.0004％ 施加電位分辨率30 V@跨度2V、300 V@跨度20V 電位更新速率8MHz 快速數(shù)據(jù)采集18位分辨率@/800KHz 輔助數(shù)據(jù)采集24位@10Hz 自動及手動iR降補(bǔ)償硬件支持 CV和LSV掃描速度0.000001-5000V/s 電位掃描時電位增量30 V@240V/s、300 V@2400V/s CA和CC脈沖寬度0.0001 10000sec CA 和CC循環(huán)次數(shù)250 DPV和NPV脈沖寬度0.0001-10sec 自動電位和電流零位調(diào)整 電位和電流測量低通濾波器,自動或手動設(shè)置 旋轉(zhuǎn)電極控制輸出 電解池控制輸出 自動、手動iR降補(bǔ)償 最大數(shù)據(jù)長度128k 20M可選擇 儀器尺寸36cm(W) 14cm(H) 35cm(L) 電源要求AC220V/50Hz 10% 工作環(huán)境溫度-10℃～40℃，相對濕度75%以下。 儀器凈重約7.5公斤 可提供的方法： 線性掃描伏安法（LSV）★ 循環(huán)伏安法（CV/Onevertex） 循環(huán)伏安法（CV/Twovertex） 循環(huán)伏安法（CV/Onevertex/Multi） 循環(huán)伏安法（CV/Twovertex/Multi） 階梯波伏安法（LSC/Staircase）★ 階梯波伏安法（CV/Onevertex）（staircase） 階梯波伏安法（CV/Twovertex）（staircase） 階梯波伏安法（CV/Onevertex/Multi）（staircase） 階梯波伏安法（CV/Twovertex/Multi）（staircase） 循環(huán)/差分（微分）脈沖伏安法（DPV+Cyclic）★ 循環(huán)/方波伏安法（SWV+Cyclic）★ 常規(guī)脈沖伏安法（NPV）★ 反式常規(guī)脈沖伏安法（ReverseNPV） 差分（微分）常規(guī)脈沖伏安法（DNPV）★ 計時電流法（OneStepCA） 計時電流法（TwoStepCA） 計時電量法（OneStepCC） 計時電量法（TwoStepCC） 計時電位法（OneStepCP） 計時電位法（TwoStepCP） 電流掃描計時電位法（CPCR） 電流掃描-階躍-保持混合技術(shù)（I-SSRT） 電位掃描-階躍-保持混合技術(shù)（P-SSRT） 方波電位安培檢測（Square-WaveGenerator） 三角波電位安培檢測（Triangular-WaveGenerator） 正弦波電位安培檢測（Sine-WaveGenerator） 脈沖電位安培檢測（PulseGenerator） 電流-時間曲線（I-T） 控制電流電解庫侖法（CCC） 控制電位電解庫侖法（CPC） 差分/（微分）脈沖溶出伏安法（DPDV） 方波溶出伏安法（SWDV） 線性掃描溶出伏安法（LSDV） 常規(guī)脈沖溶出伏安法（NPDV） 差分/（微分）常規(guī)脈沖溶出伏安法（DNPDV） 差分/（微分）脈沖溶出伏安法（DPSV） 差分/（微分）常規(guī)脈沖溶出伏安法（DNPDV） 差分/（微分）電位溶出伏安法（PSA） 開路電壓-時間曲線（OCPT） Tafel方法（TAFEL） 斷電流法（OCCT）OpenCircuitCurrentTechnology 交流(含相敏)伏安法(ACV)★ 二次諧波交流(相敏)伏安法(SHACV)★ 恒電位電池充放電技術(shù) 恒電流電池充放電技術(shù) 交流阻抗測量（IMP） 交流阻抗-時間測量（IMPT） 交流阻抗-電位測量（IMPE） 可編程任意波形實(shí)驗系統(tǒng) 注：1、儀器的保質(zhì)期為3年。 2、軟件終身免費(fèi)升級。 3、用戶可根據(jù)自己要求進(jìn)行模塊任意匹配。 4、★包括極譜法。