氮化鋁陶瓷基片具有高達170W/m k的高熱導率（為氧化鋁的7倍）、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學性能，無毒，耐高溫，耐化學腐蝕。產(chǎn)品經(jīng)過清華大學新型陶瓷與精細工藝國家重點實驗室檢測機構(gòu)檢驗，其性能領先國內(nèi)同類產(chǎn)品，與日本、歐美等國產(chǎn)品水平相當。作為理想的絕緣散熱基板和封裝材料，廣泛應用于大規(guī)模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件等高技術(shù)領域。如：高功率微波射頻器件、高亮度LED、影像傳感器、電力電子器件等等。 AlN陶瓷基片主要性能指標性能內(nèi)容性能指標熱導率(W/m k） 170體積電阻率（ cm）＞1013介電常數(shù)[1MHz,25℃]9介電損耗[1MHz,25℃]3.8х10-4抗電強度(KV/mm)17體積密度（g/cm3） 3.30表面粗糙度Ra( m) 0.3~0.5熱膨脹系數(shù)[20℃ to 300℃](10-6/℃) 4.6抗彎強度(MPa) 320~330彈性模量(GPa) 310~320莫氏硬度8吸水率(%)0翹曲度(~/25(長度)) 0.03~0.05熔點2500外觀/顏色灰白色注：1.表面光潔度經(jīng)拋光處理后，Ra 0.1 m；2.產(chǎn)品各向尺寸精度通過激光劃線保證，最小值 0.10mm；3.特殊規(guī)格產(chǎn)品可按客戶要求定制生產(chǎn)。